|
|
传感器芯片的结构
硅芯片受压部（硅隔膜）与通常的IC制作工艺相同，利用杂质扩散原理形成硅应变片。当向硅芯片施加压力时，电阻应变片的电阻值会随着其变形而改变，并转换为电信号。（压阻效应）该应变片有灵敏系数较大的特征。（相对于金属应变片的2～3，硅应变片为几10～100）。因此能够得到较高的输出，从而使隔膜的厚度可以制作得更大，提高了压力传感器的耐压性。
对象机型
半导体式压力传感器
VSW2（低压用）等
半导体隔膜式压力传感器的结构与动作说明
半导体隔膜式压力传感器采用双重隔膜方式，由直接与测量介质接触的高耐腐蚀性金属隔膜（相当于Hastelloy哈氏合金C-22、SUS316L等）与通过封入的硅油检测压力的硅芯片（硅隔膜）构成。
通过压力导入口直接与测量介质接触的是SUS316L隔膜（或相当于Hastelloy哈氏合金C-22等），介质（空气、水、油及其他）不会浸入其中，能够稳定测量。［连接螺丝的形状为G3/8时，与配管间采用O型圈密封（氟橡胶）。］
特点
可以制作能够测量正压、负压、连成压、绝对压力的各种传感器元件
直接接触介质的受压部可以采用相当于Hastelloy哈氏合金C-22、SUS316L的材料制作，因此，耐腐蚀性能优良
用于检测压力的硅芯片，其隔膜厚度较大，因此，具有优良的耐压性能
对象机型
半导体隔膜式压力传感器
VESW, VESX, VESY, VESZ, VHR3, VHG3, VAR3, VAG3, VPNPG, VNF, HS1, HV1, AS1, AV1, NS1, NV1, VESI, VESV, VSW2, VST 等
|
|
